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本項(xiàng)目的主要目標(biāo)是在中國(guó)建立MEMS氣相沉積生產(chǎn)線(xiàn)，屆時(shí)將有能力在150—450mm晶圓上提供高質(zhì)量，低殘余應(yīng)力的氣相沉積薄膜。在制造磁電天線(xiàn)的同時(shí)，也可以將多余產(chǎn)能釋放給國(guó)內(nèi)高校以及MEMS企業(yè)，為企業(yè)和高校提供MEMS所特別要求的定制化鍍膜服務(wù)，提升中國(guó)半導(dǎo)體/MEMS的制造產(chǎn)能和技術(shù)。且本項(xiàng)目符合國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)政策,得到國(guó)家大力的支持與推動(dòng)。磁電天線(xiàn)可以避免傳統(tǒng)天線(xiàn)的電流發(fā)熱，電流損耗等問(wèn)題, 降低溫室氣體排放和環(huán)境污染，不會(huì)對(duì)周?chē)沫h(huán)境造成污染。磁電天線(xiàn)理論上可以使得天線(xiàn)尺寸縮小上百倍，其制造工藝采用門(mén)檻較高的中端半導(dǎo)體制造技術(shù)（分辨率2um以上），在保證天線(xiàn)的輻射效率和功率情況下，微羽團(tuán)隊(duì)將攻克這一設(shè)計(jì)難題。磁電天線(xiàn)的主要制造工藝包括半導(dǎo)體光刻及半導(dǎo)體氣相沉積。而MEMS氣相沉積是MEMS傳感器、濾波器以及激光雷達(dá)的重要工藝步驟。擬在中國(guó)建立MEMS氣相沉積生產(chǎn)線(xiàn)將有能力在150mm~450mm晶圓上提供高質(zhì)量、低殘余應(yīng)力的氣相沉積薄膜。針對(duì)未來(lái)磁電天線(xiàn)所應(yīng)用的不同領(lǐng)域，微羽團(tuán)隊(duì)將依據(jù)磁電天線(xiàn)應(yīng)具備的輻射效率調(diào)整該領(lǐng)域天線(xiàn)的生產(chǎn)技術(shù)路線(xiàn)，參數(shù)指標(biāo)為可植入醫(yī)療設(shè)備天線(xiàn)：403MHz；水下無(wú)線(xiàn)通信：1KHz；地下礦井通信：1KHz；天波通信：10—30KHz。由于磁電天線(xiàn)極大縮小了天線(xiàn)尺寸，因此對(duì)設(shè)備尺寸敏感的可植入醫(yī)療設(shè)備來(lái)說(shuō)尤為關(guān)鍵。而對(duì)于低頻通信，傳統(tǒng)的天線(xiàn)尺寸都極大，不可能廣泛應(yīng)用。但是對(duì)于磁電天線(xiàn)來(lái)說(shuō)，它可以將傳統(tǒng)的上百米高的天線(xiàn)縮減為單人可攜帶系統(tǒng)，因此可以極大的擴(kuò)展無(wú)線(xiàn)通訊的可應(yīng)用領(lǐng)域。 【展開(kāi)】 【收起】